深圳市力拓辉电子有限公司

产品参数

SI7113DN-T1-GE3

产品种类: MOSFET

RoHS:  符合RoHS

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerPAK-1212-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: P-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 13.2 A

Rds On-漏源导通电阻: 134 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V

Qg-栅极电荷: 55 nC

最小工作温度: - 50 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 52 W

配置: Single

通道模式: Enhancement

商标名: TrenchFET

系列: SI7  

晶体管类型: 1 P-Channel  

商标: Vishay / Siliconix  

正向跨导 - 最小值: 25 S  

下降时间: 10 ns  

上升时间: 13 ns

最小包装：3000